QPQ表面處理質量缺陷分析及解決辦法（七）——化合物層疏松嚴重

QPQ表面處理的生產工序、爐前操作比較簡單，容易掌握。但處理過程是由人通過儀器儀表控制的，受處理材料特性的差異性、工藝參數的復雜性和過程控制的不確定性以及檢測試樣部位和抽樣率等諸多因素的影響，同時受產品檢測的滯后性及對產品破壞性檢測形成的較大損失等限制，QPQ表面處理的質量控制是生產中的一大難點。因此在生產中產生了質量問題，情況往往比較復雜，不大可能立即就能準確、直觀的找到問題產生的原因，也難以迅速準確的找到解決方法。這里根據我司生產、技術人員多年來在生產、技術服務中經常遇到的一些質量問題，將其產生原因和解決辦法與大家分享、交流。

        七、化合物層疏松嚴重（占總滲層深度的1/2以上）

       （一）產生原因

        1、氮化爐鹽浴清潔度差，沉渣或極細的粒狀懸浮渣太多。產品在進行氮化時這些細小的浮渣則會吸附到產品表面，造成表面堆積形成疏松，嚴重時會出現明顯的脫皮現象。

        2、氮化爐的功率過大，爐溫不均勻或氮化鹽熔化時方法不對，造成鹽浴局部過熱。過高的鹽溫使鹽浴滲速加快，在工件表面形成堆積疏松。

        3、氮化鹽浴第一次化鹽后，保溫時間不夠，鹽浴成分尚未均勻。在生產中一次加入的再生鹽數量過多，并且反應不充分，造成鹽浴氰酸根含量過高，鹽浴成分不均勻。

        4、氮化溫度過高或保溫時間過長，或氮化鹽浴中氰酸根含量過高。產品化合物深度越深其疏松的程度也會隨之增加。  

      （二）解決方法

        1、按漢科金屬工藝文件《QPQ處理鹽浴狀態的徹底調整方法》的具體步驟進行操作，同時補充一定量的基礎鹽并進行活化。

        2、調整電爐功率或電阻絲的分布，使電爐功率匹配，溫度分布均勻。按《QPQ金屬表面處理技術—基礎鹽使用方法》規定方法熔化氮化鹽，防止局部過熱。

        3、第一次熔化鹽浴應按《QPQ金屬表面處理技術—基礎鹽使用方法》中新鹽活化工藝進行徹底保溫，待保溫結束后按專業技術人員指導工藝進行生產。

        4、每次添加再生鹽后需采用580℃空爐保溫1-2小時，待再生鹽成份充分反應后再進行生產。

        5、降低氮化鹽浴氰酸根濃度，適當減少再生鹽添加量，同時加強鹽浴成份檢測，將鹽浴氰酸根濃度控制在32-39%。若鹽浴氰酸根濃度過高，在生產時可對生產工藝進行微調（降低氮化溫度或縮短氮化時間）。